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基于錐形光纖與超柔電極的新型光電神經(jīng)接口

更新時(shí)間:2025-12-10點(diǎn)擊次數(shù):38

錐形光纖+超柔電極:打造更精準(zhǔn)的腦科學(xué)工具

在神經(jīng)科學(xué)研究中,光遺傳學(xué)技術(shù)通過將攜帶光敏蛋白的病毒注入目標(biāo)腦區(qū),然后利用特定波長的激光激發(fā)或抑制神經(jīng)元活動(dòng),能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的神經(jīng)調(diào)控。然而,如果要同步觀察這些神經(jīng)元在受到光刺激時(shí)的電生理信號(hào),就需要將激光與電極“打包"到同一套裝置中。但一旦激光照射到電極位點(diǎn),往往會(huì)產(chǎn)生額外的光電偽影噪聲,從而干擾真實(shí)神經(jīng)信號(hào)的檢測。

如圖1所示,本次發(fā)布的光電神經(jīng)接口采用了錐形光纖作為光源引導(dǎo)的載體,并結(jié)合擁有超低厚度與柔性的超柔電極。這樣既能減輕腦組織創(chuàng)傷、提高生物相容性,又能在較低功率的光照下實(shí)現(xiàn)更廣范圍、更均勻的神經(jīng)元激發(fā)。研究人員指出,錐形光纖輸出的光場覆蓋面積大幅提升,對(duì)腦組織的光照衰減也相對(duì)平口光纖更為平緩。

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圖1 光電神經(jīng)接口實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。(a)光遺傳刺激與電生理同步記錄系統(tǒng);(b)光電神經(jīng)接口示意圖

系統(tǒng)性離體實(shí)驗(yàn):揭示光電偽影的關(guān)鍵因素

在本研究中,團(tuán)隊(duì)首先利用離體環(huán)境(包括磷酸鹽緩沖液、不同奶粉含量的瓊脂糖凝膠等)模擬腦組織中的光散射與離子成分。在不同光功率以及不同離子濃度環(huán)境下,測量了光電偽影的強(qiáng)度、頻譜分布和對(duì)電極記錄造成的影響,如圖2所示,結(jié)果表明:1)激光功率越大,光電偽影越強(qiáng)。當(dāng)光功率增至 20 mW 時(shí),偽影峰值可超過數(shù)百微伏,主要對(duì)低頻段(局部場電位,LFP)造成干擾。2)介質(zhì)中離子種類與含量會(huì)放大偽影。研究發(fā)現(xiàn),隨著奶粉(內(nèi)含金屬離子)濃度的增大,偽影峰值也呈上升趨勢(shì),這與電極/電解質(zhì)界面的法拉第過程和雙電層效應(yīng)密切相關(guān)。

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圖2 光電偽影的離體表征實(shí)驗(yàn)。(a)離體信號(hào)采集實(shí)物圖;(b)光輻照期間 LFP 和 AP 頻段數(shù)據(jù);(c)不同通道中的光電偽影波形圖

團(tuán)隊(duì)成員表示,這些離體實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)為后續(xù)在體實(shí)驗(yàn)及光電極的改進(jìn)提供了理論與實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

活體驗(yàn)證:光電接口長時(shí)間穩(wěn)定記錄

為了進(jìn)一步證明該光電極在真實(shí)神經(jīng)組織環(huán)境中的表現(xiàn),研究人員將新型光電極植入小鼠的CA1腦區(qū),并進(jìn)行了長達(dá)數(shù)周的追蹤記錄。結(jié)果顯示:1)電極阻抗在初期波動(dòng),兩周后趨于穩(wěn)定。這是由于組織免疫炎癥反應(yīng)在植入前期比較明顯,后期隨愈合與適應(yīng)逐漸減輕。2)低功率光刺激可有效激發(fā)神經(jīng)元,同時(shí)干擾更小。實(shí)驗(yàn)表明,對(duì)于需要大范圍激活神經(jīng)元時(shí)會(huì)使用更高光功率,但光電偽影也隨之增強(qiáng)。為兼顧激發(fā)效果與記錄質(zhì)量,研究團(tuán)隊(duì)會(huì)在今后進(jìn)一步優(yōu)化材料與光學(xué)設(shè)計(jì)。

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圖3 光電偽影活體表征。(a)光電極植入活體小鼠后進(jìn)行同步光輻照與電生理采集實(shí)驗(yàn)(未注射病毒);(b)LFP和AP頻段在光輻照時(shí)的波形

光遺傳學(xué)刺激與電生理記錄同步驗(yàn)證

在注入了光遺傳病毒的小鼠中,研究團(tuán)隊(duì)用473 nm激光脈沖進(jìn)行光刺激,并同步記錄該腦區(qū)神經(jīng)元放電情況。數(shù)據(jù)分析發(fā)現(xiàn),在激光脈沖照射期間,神經(jīng)元發(fā)放率顯著上升,表明這種光電極對(duì)神經(jīng)元活動(dòng)具有確切的調(diào)控和記錄功能。對(duì)于干擾部分,研究團(tuán)隊(duì)也驗(yàn)證了模板減法、主成分分析等方法在后端數(shù)據(jù)處理中可以起到良好的去偽影效果。

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圖4 光遺傳調(diào)控與同步電生理記錄實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。(a)光遺傳調(diào)控示意圖;(b)LFP和 AP頻段在光刺激時(shí)的波形;(c)光電偽影功率譜密度(光脈沖從0.1 s開始持續(xù)100 ms)

總結(jié)與展望

研究團(tuán)隊(duì)表示,該新型光電神經(jīng)接口有望廣泛應(yīng)用于神經(jīng)環(huán)路機(jī)理探究、神經(jīng)退行性疾病模型研究,以及腦機(jī)接口等領(lǐng)域。在今后的研究中,團(tuán)隊(duì)將著力于:

1、電極材料表面修飾及新材質(zhì)探索,如石墨烯、Pt-Black/PEDOT等材料或表面鍍膜,可更有效降低光電偽影。

2、光學(xué)結(jié)構(gòu)與多通道設(shè)計(jì),如增加錐形光纖的通道數(shù)量,或優(yōu)化光耦合結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)更精準(zhǔn)、更大范圍且均勻的光輻照。

3、智能算法與長時(shí)程數(shù)據(jù)分析,如借助機(jī)器學(xué)習(xí)和大數(shù)據(jù)分析,對(duì)光遺傳與電生理記錄進(jìn)行更深入的模式識(shí)別,攻克噪聲與偽影難題。

此次研究成果不僅為高精度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)研究提供了新方法,也為日后更復(fù)雜、更可控的植入式神經(jīng)調(diào)控設(shè)備帶來了新的希望。論文作者指出,隨著技術(shù)的不斷成熟,這一融合光遺傳學(xué)與超柔電極的多模態(tài)神經(jīng)接口或?qū)⒊蔀槲磥砟X科學(xué)與臨床神經(jīng)醫(yī)學(xué)研究中的關(guān)鍵突破口。研究團(tuán)隊(duì)同時(shí)呼吁,若有更多領(lǐng)域的學(xué)者及產(chǎn)業(yè)合作方能加入,將共同推進(jìn)該新型光電神經(jīng)接口在基礎(chǔ)科研和醫(yī)療應(yīng)用中的落地與升級(jí)。


參考文獻(xiàn): 中國光學(xué)期刊網(wǎng)





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