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硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?1mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 800nm ?3mm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測器 我們的硅探測器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測量；放大型探測器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場景 ，應用廣泛；索雷博THORLABS同款 ，無縫兼容；性能優(yōu)秀 ，高性價比 ，quan方位技術支持； 提供非標定制服務。

近紅外光自由運行單光子探測器 近紅外自由運行單光子探測器模組SPAD-NIR-FR是我司自主研發(fā)的一款自由運行單光子探測器，可以探測到單光子水平的微弱光。其中，1550nm單光子的典型探測效率30%，后脈沖7%暗計數(shù)4kcps，時間抖動250ps。SPAD-NIR-FR單光子探測器采用主動淬滅、主動恢復技術，實現(xiàn)對雪崩信號的快速抑制，減小模塊的暗計數(shù)和后脈沖。該產(chǎn)品可用于單光子激光雷達、量子

InGaAs 雪崩單元探測器 APD-5G-A 雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶 跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償； 隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響；APD溫 度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、 高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點。